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感應加熱電源-可控硅、IGBT,MOSFET分類

發布時間:2020-03-09 已經有1人查過此文章 返回感應加熱列表

感應加熱電源電力電子器件特性和處理速度的迅速發展趨勢,促使感應加熱電源技術性也*保持頻率高頻率化、效率高源能化、環保節能化。依據所保持的電源額定功率容積和頻率的不一樣,感應加熱電源中的關鍵電力電子器件可分成可控硅、IGBT,MOSFET等。


感應加熱電源設備



感應加熱電源的可控硅可以承擔很高的工作電壓和電流量,并且工作中靠譜,故關鍵運用在高頻500H2-8KHz范圍之內,輸出功率可做到數兆KW;絕緣層柵雙極三極管IGBT電源開關頻率迅速、耐熱性好、且需要驅動器輸出功率小,故規模性運用在超聲頻20KHz-50KHz范圍之內,輸出功率可做到1000KW,電力工程場效應晶體管MOSFET的光耦電路簡易、輸出功率高,所以用以在高頻率環節100KH左右,輸出功率可做到400kw。

感應加熱電源性能
感應加熱電源性能

19新世紀前期,電磁感應基本原理和楞次定律被發覺,但在20新世紀早期,感應加熱技術性才宣布被運用于工業生產中。先運用的行業是金屬材料熔化。初期的金屬材料加熱機器設備都應用金屬材料,以后不導電性的材料剛開始運用于感應加熱熔化機器設備,該感應加熱電源的基本原理是進入60Hz的電流量,并立即加進被熔金屬材料上加熱。
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